BSS138K IC électronique ébrèche le paquet de Pin SOT-23 de 220mA 50V 3
IC électronique ébrèche 220 mA
,IC électronique ébrèche 50V
,BSS138K
Puce originale toute neuve de la puce BSS138K IC d'IC de circuit intégré
Produits Description :
Transistor MOSFET BSS138K, 220 mA, Vds=50 V, paquet de N-canal de 3-Pin SOT-23
Des transistors à effet de champ de mode d'amélioration (FETs) sont produits utilisant la technologie élevée brevetée de la densité DMOS des cellules de Fairchild. Ce processus à haute densité est conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état, fournissant la représentation robuste et fiable et la commutation rapide.
Fairchild offre un grand dossier des dispositifs de transistor MOSFET comprenant la basse tension de la haute tension (>250V) (<250v>
Les transistors MOSFET de Fairchild fournissent l'excellente fiabilité de conception en réduisant la tension faisant une pointe et dépassent pour réduire la capacité de jonction et la charge inverse de récupération, gardant plus long en service de systèmes sans composants externes supplémentaires
Transistor MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R de transport
Les efforts dépassant les capacités absolues peuvent endommager le dispositif. Le dispositif peut ne pas fonctionner ou être fonctionnel au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées et de soumettre à une contrainte les pièces à ces niveaux n'est pas recommandé. Dans l'addition, l'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif. Les estimations maximum de Theabsolute sont des estimations d'effort seulement
Paramètres technologiques :
| résistance de Drain-source | 1,6 Ω |
| Puissance dispersée | 0,35 W |
| Tension de Drain-source (Vds) | 50 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) | 58pF @25V (Vds) |
| Méthode d'installation | Bâti extérieur |
| paquet | SOT-23-3 |
| Emballage | Bande et bobine (TR) |
| Applications de fabrication | gestion de puissance |
| Norme de RoHS | RoHS conforme |
| norme d'avance | Sans plomb |