La Manche simple de l'électronique SOT-23-3 2N7002K N de circuit intégré de SMD
L'électronique de circuit intégré de SMD
,L'électronique SOT-23-3 de circuit intégré
,2N7002K
Fournisseur de l'électronique de circuit intégré nouveau et original dans le service courant 2N7002K de Bom
Produits Description :
Petit transistor MOSFET 60 V, 380 mA, N-canal simple, petit transistor MOSFET 60 V, 380 mA, de simple, N−Channel, SOT−23 de signal de signal de l'IVROGNE -23
Transistor MOSFET de N-canal de mode d'amélioration, semi-conducteur de Fairchild
Des transistors à effet de champ de mode d'amélioration (FETs) sont produits utilisant la technologie élevée brevetée de la densité DMOS des cellules de Fairchild. Ce processus à haute densité est conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état, fournissant la représentation robuste et fiable et la commutation rapide.
Transistor MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R de transport
Transistor de transistor MOSFET, la Manche de N, 300 mA, 60 V, 2 ohms, 10 V, 2,5 V
Les efforts dépassant les capacités absolues peuvent endommager le dispositif. Le dispositif peut ne pas fonctionner ou être fonctionnel au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées et de soumettre à une contrainte les pièces à ces niveaux n'est pas recommandé. Dans l'addition, l'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif. Les estimations maximum de Theabsolute sont des estimations d'effort seulement. Les valeurs sont aux VENTRES = au 25°C sauf indication contraire
Paramètres technologiques :
| résistance de Drain-source | 2 Ω |
| Tension de Drain-source (Vds) | 60 V |
| Courant continu de drain (Ids) | 0.38A |
| Capacité d'entrée (Ciss) | 50pF @25V (Vds) |
| Puissance évaluée (maximum) | 350 mW |
| Température de fonctionnement | 55℃ | 150℃ |
| Emballage | Bande et bobine (TR) |
| Paquet minimum | 3000 |
| Applications de fabrication | Bas commutateur latéral de charge |
| Norme de RoHS | RoHS conforme |