BSS123 SA SOT23 IC électronique ébrèche 3 Pin Surface Mount Installation
IC électronique ébrèche Pin 3
,Puces électroniques de SOT23 IC
,Puces électroniques d'IC
Nouvelle puce originale du circuit intégré IC de Bss123 SA Sot23
Produits Description :
Transistor MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 du N-canal BSS123 marquant la commutation rapide/logique de SA à niveau compatible
Tension maximum de Drain-source de Vds de tension de Source-drain| 100V ---|--- Tension maximum de Porte-source de Vgs de tension de Porte-source (±)| l'identification actuelle du drain 100V maximum vidangent actuel| Source-drain 170mA/0.17A sur-resistanceΩRds DΩ le Sur-état Ω/Ohmesistance de /Ohmain-SouΩ/Ohmce| 3.4Ω/Ohm @1.7A, tension d'ouverture de seuil de Porte-source de Vgs de la tension 10V (Th)| dissipation de puissance du palladium 0.8-1.2V| description 360mW/0.36W et applications| Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de N-canal BSS100 : 0.22A, 100V. Le RDS (DESSUS) = 6W @ VGS = 10V. BSS123 : 0.17A, 100V. Le RDS (DESSUS) = 6W @ conception à haute densité des cellules VGS = 10V pour extrêmement - commutateur commandé de signal de basse tension du RDS (SUR) le petit. Rocailleux et fiable. Description et application | Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de N-canal BSS100 : 0.22A, 100V. LE RDS (DESSUS) = 6W@VGS =10V. BSS123 : 0.17A, 100V. La batterie à haute densité du RDS (SUR) =6W@ VGS= 10V est conçue avec extrêmement - la basse tension du RDS (DESSUS) pour commander le petit commutateur de signal.
Paramètres technologiques :
| Capacité d'entrée (Ciss) | 73pF @25V (Vds) |
| résistance de Drain-source | 1,2 Ω |
| Puissance dispersée | 360 mW |
| tension de seuil | 1,7 V |
| Tension de Drain-source (Vds) | 100 V |
| Méthode d'installation | Bâti extérieur |
| numéro de borne | 3 |
| paquet | SOT-23-3 |
| Température de fonctionnement | -55℃ | 150℃ |
| Emballage | Bande et bobine (TR) |