NX7002AK, 215 1 transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simples de fossé de la Manche de N
Catégorie:
Module de circuit intégré
Price:
discussible
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Vidangez la résistance de source:
3 Ω
Puissance dispersée:
0,325 W
Mode d'installation:
Bâti extérieur
Numéro de borne:
3
encapsulation:
SOT-23-3
Température de fonctionnement:
-55℃ | 150℃ (TJ)
Méthode d'emballage:
Bande et bobine (TR)
Mettre en évidence:
NX7002AK 215
,Transistor MOSFET de fossé de la Manche de N
Introduction au projet
NX7002AK, transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simple de fossé du N-canal 215 SOT-23-3 1
Produits Description :
Le NX7002AK est un transistor d'effet de champ de mode d'amélioration de N-canal (FET) dans un paquet en plastique monté extérieur du dispositif (SMD) utilisant la technologie de transistor MOSFET de fossé.
Commutation rapide même
Protection d'ESD à 1.5kV
Transistor MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Transistor MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R de transport
Ultra-rapide circuits de changement conducteur de relais de loadswitch du côté bas de module de commande de ligne
Paramètres technologiques :
| résistance de Drain-source | 3 Ω |
| Puissance dispersée | 0,325 W |
| tension de seuil | 1,6 V |
| capacité d'entrée | 15 PF |
| Tension de Drain-source (Vds) | 60 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) | 17pF @10V (Vds) |
| Puissance évaluée (maximum) | 265 mW |
| Puissance dispersée (maximum) | 265mW (merci), 1.33W (comité technique) |
| Méthode d'installation | Bâti extérieur |
| Nombre de goupilles | 3 |
| paquet | SOT-23-3 |
| Température de fonctionnement | -55℃ | 150℃ (TJ) |
| Emballage | Bande et bobine (TR) |
| Applications de fabrication | Audio, gestion de puissance |
| Norme de RoHS | RoHS conforme |
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Le stock:
Nombre de pièces:
discussible