TRANSISTOR MOSFET NPN Puce SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G d'IC de transistor
Catégorie:
Puce d'IC de transistor
Price:
discussible
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
résistance de Drain-source:
0,1 Ω
polarité:
P
tension de seuil:
0,4 V
Paquet:
SOT-23-3
Paquet minimum:
3000
Norme de RoHS:
RoHS conforme
Norme d'avance:
Sans plomb
Mettre en évidence:
TRANSISTOR MOSFET NPN Puce d'IC de transistor
,Puce SOT-23 d'IC de transistor
,LP2301BLT1G
Introduction au projet
Nouveau transistor original PNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G du transistor MOSFET NPN
Produits Description :
Diodes et redresseurs de 1.MOS (transistor à effet de champ) /LP2301BLT1G
matériel 2.the des conditions de withRoHS de conformité de produit et halogène libre
3.S- préfixe pour conditions des véhicules à moteur et autres de rupture de site et de contrôle de requiringunique d'applications ; AEC-Q101qualified et PPAP capables
4.RDS (DESSUS), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ
5.RDS (DESSUS), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ
gestion 6.Power dans le commutateur à piles DSC de charge du système d'équipement portatif de carnet
ESTIMATIONS MAXIMUM (merci = 25ºC)
| Paramètre | Symbole | Limites | Unité |
| Tension de Drain-source | VDSS | -20 | V |
| Tension de Porte-à-source – continue | VGS | ±8 | V |
| Vidangez actuel (note 1) – VENTRES = 25°C continus – Pulsé |
Identification IDM |
-2 -10 |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
| Paramètre | Symbole | Limites | Unité |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 0,7 | W |
| Résistance thermique, Jonction-à-ambiant (note 1) |
RΘJA | 175 | C/W |
| Jonction et température de stockage | TJ, Tstg | −55∼+150 | C |
Paramètres technologiques :
| résistance de Drain-source | 0,1 Ω |
| Polarité | P |
| Tension de seuil | 0,4 V |
| tension de Drain-source (Vds) | 20 V |
| Courant continu de drain (Ids) | 2.8A |
| Paquet | SOT-23-3 |
| Paquet minimum | 3000 |
| Norme de RoHS | RoHS conforme |
| norme d'avance | Sans plomb |
| numéro de borne | 6 |
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Le stock:
Nombre de pièces:
discussible