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Tube IRFP250NPBF de MOS de la Manche 30A 200V 75MOHM 10V du transistor MOSFET N de transistor

Catégorie:
Puce d'IC de transistor
Price:
discussible
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Type:
Transistor MOSFET
D/C:
Nouveau
Type de paquet:
Dans tout le trou
Application:
Usage universel
Type de fournisseur:
Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre
Marque:
IRFP250NPBF
Puissance - maximum:
214W (COMITÉ TECHNIQUE)
Température de fonctionnement:
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type:
Par le trou
Paquet/cas:
TO-247-3
Type de FET:
N-canal
Caractéristique de FET:
Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss):
200 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:
30A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:
75 milliohms @ de 18A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:
4V @ 250uA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:
123nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:
2159pF @ 25V
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
2159pF @25V (Vds)
Thermistance de NTC:
0.7℃/W (RJC)
Tension - panne (V (BR) GSS):
200 V
Drain actuel (identification) - maximum:
30000mA (COMITÉ TECHNIQUE)
Résistance thermique:
0.7℃/W (RJC)
Mode d'installation:
Par le trou
Numéro de borne:
3
encapsulation:
TO-247-3
Matériel:
Silicium
Température de fonctionnement:
-55℃ | 175℃ (TJ)
Méthode d'emballage:
Tube
Application de fabrication:
Appareils mobiles de Plein-pont
Norme de RoHS:
RoHS conforme
Norme d'avance:
Sans plomb
Mettre en évidence:

La Manche 30A du transistor MOSFET N de transistor

,

La Manche 200V du transistor MOSFET N de transistor

,

IRFP250NPBF

Introduction au projet

Tube IRFP250NPBF de MOS du canal 30A 200V 75MOHM 10V du transistor MOSFET N de transistor

Produits Description :

1.IRFP250NPBF transistor, transistor MOSFET, canal de N, 30 A, 200 V, 75 MoHM, 10 V, 4 V
le paquet de 2.The to-247 est préféré pour des applications Commercial-industrielles que la puissance de wherehigher nivelle le prélude l'utilisation du - à 220 dispositifs.
3.The TO-247 est supérieur de similarbut au paquet TO-218 premier en raison de son trou de montage d'isolement

Paramètres technologiques :

Type de paquet Dans tout le trou
Application Usage universel
Résistance thermique 0.7℃/W (RJC)
Mode d'installation Par le trou
Numéro de borne 3
Encapsulation TO-247-3
matériel Silicium
Température de fonctionnement -55℃ | 175℃ (TJ)
Méthode d'emballage Tube
Norme de RoHS RoHS conforme
Norme d'avance Sans plomb
qualité de haute qualité

Avantages de société :
L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Ruizhixinda.
Est une société avec des décennies d'expérience à l'agence en gros des composants électroniques,
Nous avons la puissance de la coopération d'agence et d'usine de diverses marques de composants.
Entrepôt de stockage étendu et complet de composants électroniques,
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Nous fournirons les produits parfaits et de haute qualité.

Service à la clientèle :
1. Soutenez-vous des listes de BOM ?
Naturellement, nous avons une équipe professionnelle pour fournir BOM.
2. montré ci-dessous. Derrière MOQ ?
Notre MOQ est flexible et peut être équipé selon vos besoins, d'un minimum de 10 morceaux.
3. Que diriez-vous du délai d'exécution ?
Après réception du dépôt, nous nous chargerons d'emballer les marchandises et d'entrer en contact avec la logistique pour la livraison. La durée est de 3-7 jours.
4. Notre avantage ?
1. approvisionnement stable et suffisamment de
2. la fixation concurrentielle des prix
3. une expérience riche de BOM
4. service après-vente parfait
5. certificat d'essai professionnel
5. Notre service ?
Méthodes de paiement : T/T, L/C, D/P, D/A, MoneyGram, carte de crédit, paypal, Western Union, argent liquide, engagement, Alipay…
6. transport :
DHL, TNT, Fedex, SME, DEPX, air, expédition de mer

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Nombre de pièces:
discussible